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APT75GP120JDQ3

功能描述：IGBT 1200V 128A 543W SOT227

RoHS：是

类别：半导体模块 >> IGBT

系列：POWER MOS 7®

标准包装：10

系列：GenX3™

IGBT 类型：PT

配置：单一

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V

Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.4V @ 15V，100A

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：430A

电流 - 集电极截止（最大）：100µA

Vce 时的输入电容 (Cies)：31nF @ 25V

功率 - 最大：1000W

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商设备封装：SOT-227B

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